| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | AON1606 |
| 说明 | 小信号MOSFET DFN1.0x0.6 |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 10000 |
| 现货 | 17748 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 封装/外壳 | DFN 1.0x0.6 |
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | Yes |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 栅极电压Vgs | 8V |
| 连续漏极电流Id | 0.7A |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.9W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 275mΩ@4.5V |
| Rds On(Max)@2.5V | 335mΩ |
| Rds On(Max)@1.8V | 390mΩ |
| VGS(th) | 1 Ohms |
| Ciss(pF) | 62.5 |
| Coss(pF) | 12.5 |
| Crss(pF) | 9 |
| Qg*(nC) | 0.85 |
| Qgd(nC) | 0.25 |
| Td(on)(ns) | 2 |
| Td(off)(ns) | 18 |


