参数 | 值 |
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产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | AON1606 |
说明 | 小信号MOSFET DFN1.0x0.6 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1 |
最小包 | 10000 |
现货 | 17748 [库存更新时间:2025-04-09] |
封装/外壳 | DFN 1.0x0.6 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | Yes |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 20V |
栅极电压Vgs | 8V |
连续漏极电流Id | 0.7A |
Pd-功率耗散(Max) | 0.9W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 275mΩ@4.5V |
Rds On(Max)@2.5V | 335mΩ |
Rds On(Max)@1.8V | 390mΩ |
VGS(th) | 1 Ohms |
Ciss(pF) | 62.5 |
Coss(pF) | 12.5 |
Crss(pF) | 9 |
Qg*(nC) | 0.85 |
Qgd(nC) | 0.25 |
Td(on)(ns) | 2 |
Td(off)(ns) | 18 |