参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AO4800 |
说明 | 功率MOSFET SO-8 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1 |
最小包 | 3000 |
现货 | 18248 [库存更新时间:2025-04-09] |
封装/外壳 | SO-8 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 30V |
栅极电压Vgs | 12V |
连续漏极电流Id | 6.9A |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ |
Rds On(Max)@2.5V | 50mΩ |
VGS(th) | 1.5 |
Ciss(pF) | 630 |
Coss(pF) | 75 |
Crss(pF) | 50 |
Qg*(nC) | 6 |
Qgd(nC) | 1.8 |
Td(on)(ns) | 3 |
Td(off)(ns) | 25 |
Trr(ns) | 8.5 |
Qrr(nC) | 2.6 |