参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AO4800L |
说明 | 功率MOSFET SO8-Cu-D |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6247 [库存更新时间:2025-04-13] |
系列 | AO |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 6.9A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@6.9A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 630pF @ 15V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SO8-Cu-D |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |