参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	2N7002H6327XTSA2
说明	通用MOSFET   PG-SOT23-3 PG-SOT23-3 SOT-23 2.9mm 2.9x1.3x1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6361 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	300mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.6nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	20pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT23-3
封装/外壳	PG-SOT23-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	300 mA
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 0hms
栅极电压Vgs	2.5V
最小栅阈值电压	1.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-23
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	小信号
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	2.9mm
高度	1mm
系列	OptiMOS
宽度	1.3mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	13 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	5.5 ns
典型接通延迟时间	3 ns
封装/外壳	2.9 x 1.3 x 1mm