参数	值
产品	未分类
型号编码	2N4923G
说明	未分类   TO-225AA TO-225 TO-225-3
品牌	ON(安森美)
起订量	1
最小包	1
现货	653 [库存更新时间：2025-04-07]
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 100mA,1A
电流-集电极截止（最大值）	500µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 500mA,1V
功率	30W
频率-跃迁	3MHz
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-225AA
封装/外壳	TO-225
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	80V
3 MHz	增益带宽积 fT
最高工作温度	+ 150 C
封装/外壳	TO-225-3
系列	2N4923
连续集电极电流	3 A
40	直流集电极/增益 hfe 最小值
最大功率消耗	30 W
最低工作温度	- 65 C
标准包装数量	500
配置	Single
FET类型	NPN
集电极-基极电压VCBO	80 V
发射机-基极电压VEBO	5 V
集电极-发射极饱和电压	0.6 V
集电极最大直流电流	1 A