参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD70N04S3-07
说明	功率MOSFET   PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2024-11-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	82A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	40nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2700pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6mΩ@70A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3