参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	ZXMC6A09DN8TA
说明	通用MOSFET   8-SOP SO
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	500
最小包	500
现货	1214 [库存更新时间：2024-06-06]
FET类型	N+P-Channel
连续漏极电流Id	3.9A,3.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	45m Ohms@8.2A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1407pF @ 40V
Pd-功率耗散(Max)	1.8W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOP
封装/外壳	SO
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	5.1A/4.8A