参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMC4559DN8TA
说明	未分类   SOIC 4.95x3.95x1.5mm 4.95mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N,P
连续漏极电流Id	2.6 A,4.7 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	75 m0hms,125 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	隔离式
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.1W
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	2
封装/外壳	4.95 x 3.95 x 1.5mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1021 pF@ -30 V, 1063 pF@ 30 V
典型关断延迟时间	26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间	3.5 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	4.95mm
宽度	3.95mm