参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMP6A18DN8TA
说明	未分类   SOIC 5x4x1.5mm 5mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2026-01-11]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	4.8 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	隔离式
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.1W
每片芯片元件数目	2
高度	1.50mm
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	1580 pF @ -30 V
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	4.6 ns
宽度	4mm
长度	5mm
最低工作温度	-55 °C
晶体管材料	Si