参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMC10A816N8TC
说明	未分类   SOIC 5mm 5x4x1.5mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N,P
连续漏极电流Id	2.3 A,2.4 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	300 m0hms、320 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	隔离式
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.4 W, 2.6 W
典型接通延迟时间	2.9 ns、4.3 ns
典型关断延迟时间	12.1 ns, 20 ns
漏源极电压Vds	497 pF@ 50 V, 717 pF@ -50 V
晶体管材料	Si
宽度	4mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm
高度	1.50mm
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
每片芯片元件数目	2