参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | UM6K1NTNp |
说明 | 通用MOSFET UMT |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 401 [库存更新时间:2025-04-10] |
FET类型 | 2N-Channel |
连续漏极电流Id | 100mA |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8Ω@10mA,4V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 13pF @ 5V |
Pd-功率耗散(Max) | 150mW |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | UMT |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 0.1A |