参数	值
产品	未分类
型号编码	TPN6R003NL,LQ(S
说明	未分类   TSON 3.1x3.1x0.85mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	56 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 m0hms
栅极电压Vgs	2.3V
最小栅阈值电压	1.3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	开关调节器 MOSFET
功率	32 W
封装/外壳	3.1 x 3.1 x 0.85mm
晶体管材料	Si
宽度	3.1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	0.85mm
系列	U-MOSVIII-H
漏源极电压Vds	1050 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	11 ns
正向二极管电压	1.2V
最高工作温度	+150 °C