参数	值
产品	未分类
型号编码	TPN3R704PL
说明	未分类   TSON 3.1x3.1x0.85mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	92 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6 m0hms
栅极电压Vgs	2.4V
最小栅阈值电压	1.4V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	TSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	86 W
典型接通延迟时间	14.7 ns
典型关断延迟时间	24 ns
漏源极电压Vds	1910 pF @ 20 V
栅极电压Vgs	10 V 时,27 常闭
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	3.1mm
高度	0.85mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	3.1 x 3.1 x 0.85mm
最高工作温度	+175 °C