参数	值
产品	未分类
型号编码	TP89R103NL,LQ(S
说明	未分类   SOP 4.9x3.9x1.52mm 4.9mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-13]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	15 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.9 m0hms
栅极电压Vgs	2.3V
最小栅阈值电压	1.3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOP
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	开关调节器 MOSFET
功率	1.9 W
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	4.9 x 3.9 x 1.52mm
系列	U-MOSVIII-H
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	630 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	14 ns
典型接通延迟时间	8.4 ns
宽度	3.9mm
高度	1.52mm
最高工作温度	+150 °C
长度	4.9mm