参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TPN5900CNH,L1Qn
说明	通用MOSFET   8-TSONAdvance(3.1x3.1)
起订量	5
最小包	5
现货	405 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	700mW(Ta),39W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	59 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(th)	4V @ 200uA
Vgs(最大值)	±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	600 pF @ 75 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	7 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	150 V
连续漏极电流Id	9A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V