| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | TPH4R50ANH,L1Qn |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOPAdvance(5x5) |
| 起订量 | 5 |
| 最小包 | 5 |
| 现货 | 404 [库存更新时间:2025-11-14] |
| FET类型 | N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Ta),78W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 4.5 毫欧 @ 30A,10V |
| Vgs(th) | 4V @ 1mA |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 5200 pF @ 50 V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 58 nC @ 10 V |
| 产品状态 | 在售 |
| 封装/外壳 | 8-SOP Advance(5x5) |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 100 V |
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |


