参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TK8P60W,RVQ
说明	通用MOSFET   DPAK
起订量	2
最小包	2
现货	446 [库存更新时间：2025-04-02]
FET功能	超级结
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	80W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	500 毫欧 @ 4A,10V
Vgs(th)	3.7V @ 400uA
Vgs(最大值)	±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	570 pF @ 300 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	18.5 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	DPAK
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	600 V
连续漏极电流Id	8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V