参数	值
产品	未分类
型号编码	TK6A60W,S4VX(M
说明	未分类   TO-220SIS 10x4.5x15mm 10mm
起订量	5
最小包	5
现货	452 [库存更新时间：2024-05-11]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	6.2 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	750 m0hms
栅极电压Vgs	3.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220SIS
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	30W
封装/外壳	10 x 4.5 x 15mm
系列	TK
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	390 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	40 ns
宽度	4.5mm
高度	15mm
长度	10mm