参数	值
产品	未分类
型号编码	TK56E12N1,S1X(S
说明	未分类   10.16mm 10.16x4.45x15.1mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2024-05-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	112 A
漏源极电压Vds	120 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	开关调节器
功率	168 W
典型接通延迟时间	45 ns
典型关断延迟时间	73 ns
漏源极电压Vds	4200 pF @ 60 V
晶体管材料	Si
系列	U-MOSVIII-H
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	4.45mm
长度	10.16mm
高度	15.1mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.16 x 4.45 x 15.1mm
最高工作温度	+150 °C