参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | TK40E10N1,S1Xn: |
说明 | 通用MOSFET TO-220 |
起订量 | 50 |
最小包 | 50 |
现货 | 494 [库存更新时间:2025-04-06] |
FET类型 | N-Channel |
Pd-功率耗散(Max) | 126W(Tc) |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 8.2 毫欧 @ 20A,10V |
Vgs(th) | 4V @ 500uA |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3000 pF @ 50 V |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 49 nC @ 10 V |
产品状态 | 在售 |
封装/外壳 | TO-220 |
工作温度 | 150°C(TJ) |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压Vds | 100 V |
连续漏极电流Id | 90A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |