参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STU7N65M2 |
说明 | 通用MOSFET TO-251-3,IPak,TO-251AA IPAK IPAK-3 |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 75 |
最小包 | 75 |
现货 | 317 [库存更新时间:2025-04-05] |
系列 | MDmesh™ |
连续漏极电流Id | 5A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 270pF @ 100V |
栅极电压Vgs | ±25V |
Pd-功率耗散(Max) | 60W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.15 Ohms@2.5A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-251-3 ,IPak,TO-251AA |
封装/外壳 | IPAK |
FET类型 | N-Channel |
Ciss-输入电容 | 270 pF |
连续漏极电流Id | 5A |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
封装/外壳 | IPAK-3 |
FET类型 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散(Max) | 60W |
最小工作温度 | - 55 C |
Qg-栅极电荷 | 9 nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.15 Ohms |
漏源极电压Vds | 650V |
栅极电压Vgs | 3V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 20 ns |