参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STT5N2VH5 |
说明 | 通用MOSFET SOT-23-6 SOT-23 |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 111 [库存更新时间:2025-04-06] |
系列 | STripFET™ V |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA(最小) |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.6nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 367pF @ 16V |
栅极电压Vgs | ±8V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 30m Ohms@2A,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/外壳 | SOT-23 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 5A |