| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | STS5DNF60L |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SO SO |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 490 [库存更新时间:2025-11-14] |
| 系列 | STripFET™ II |
| FET类型 | 2N-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 45m Ohms@2A,10V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1030pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 5A |


