型号参数与资料
- 型号
- STP3N80K5
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | SuperMESH5™ |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 130pF @ 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5 Ohms@1A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| FET类型 | N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 60 W | Pd - 功率消耗 |
| 下降时间 | 25 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| FET类型 | N-Channel |
| 标准包装数量 | 50 |
| 标准断开延迟时间 | 20.5 ns |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| 连续漏极电流Id | 2.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8 Ohms |
| 配置 | Single |
| 栅极电压Vgs | 4V |
| 9.5 nC | Qg - 闸极充电 |
通用MOSFET TO-220-3 TO-220
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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