参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STP3N80K5
说明	通用MOSFET   TO-220-3 TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2848 [库存更新时间：2025-11-16]
系列	SuperMESH5™
连续漏极电流Id	2.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	130pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	60W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 Ohms@1A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220
FET类型	N-Channel
最高工作温度	+ 150 C
60 W	Pd - 功率消耗
下降时间	25 ns
最低工作温度	- 55 C
上升时间	7.5 ns
FET类型	N-Channel
标准包装数量	50
标准断开延迟时间	20.5 ns
漏源极电压Vds	800V
栅极电压Vgs	30V
连续漏极电流Id	2.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.8 Ohms
配置	Single
栅极电压Vgs	4V
9.5 nC	Qg - 闸极充电