参数	值
产品	未分类
型号编码	STP30N65M5
说明	未分类   TO-220-3 TO-220AB
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1
最小包	1
现货	1192 [库存更新时间：2025-04-07]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2880pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
功率	140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	139 毫欧 @ 11A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	22A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	64nC @ 10V
封装/外壳	TO-220AB