| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | STL20DN10F7 |
| 说明 | 通用MOSFET PowerFlat™(5x6) Power |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 536 [库存更新时间：2025-04-02] |
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™ VII |
| FET类型 | 2N-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 67m Ohms@2.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.8nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 408pF @ 50V |
| Pd-功率耗散(Max) | 62.5W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PowerFlat™(5x6) |
| 封装/外壳 | Power |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 20A |
IC普拉斯 元器件现货
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