参数	值
产品	未分类
型号编码	STGP10M65DF2
说明	未分类   TO-220-3 TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	490 [库存更新时间：2026-02-12]
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2V @ 15V,10A
功率	115W
开关能量	120µJ(开),270µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/91ns
测试条件	400V,10A,22 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	96ns
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220