参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGB15H60DF
说明	通用MOSFET   D2PAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	107 [库存更新时间：2025-04-22]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极（Ic）（最大值）	30A
脉冲电流-集电极(Icm)	60A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2V @ 15V,15A
开关能量	136µJ(开),207µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	24.5ns/118ns
测试条件	400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	103ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	D2PAK
栅极/发射极最大电压	± 20 V
栅极—射极漏泄电流	250 nA
系列	STGB15H60DF
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.6 V
Pd-功率耗散(Max)	115W
在25 C的连续集电极电流	30 A
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C