| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | STD7NM60N |
| 说明 | 功率MOSFET DPAK |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 442 [库存更新时间：2025-04-10] |
| 系列 | MDmesh™ II |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 363pF @ 50V |
| 栅极电压Vgs | ±25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@2.5A,10V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 5A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsSTD7NM60N
产品概述
相关产品