参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQJ858AEP-T1_GE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK-SO-8L-4
起订量	3
最小包	3
现货	443 [库存更新时间：2024-05-11]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	55nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2450pF @ 20V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	58A
Pd-功率耗散(Max)	48W
Qg-栅极电荷	55nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	5mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	1.5V
上升时间	9ns
下降时间	8ns
典型关闭延迟时间	26ns
典型接通延迟时间	10ns
封装/外壳	PowerPAK-SO-8L-4
正向跨导 - 最小值	99S
系列	SQ
通道数量	1Channel
配置	Single