参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQD50P04-13L_GE3
说明	功率MOSFET   TO-252-3 6.73mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	2000
最小包	2000
现货	4239 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	90nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3590pF @ 20V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3
连续漏极电流Id	50A
Pd-功率耗散(Max)	136W
Qg-栅极电荷	80nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	10mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	12ns
下降时间	16ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	10ns
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	61S
系列	SQ
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	6.73mm
高度	2.38mm