参数	值
产品	未分类
型号编码	SQD50N04-4M5L-GE3
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.38mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	109 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	50A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.8 m0hms
最小栅阈值电压	1.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	136W
典型接通延迟时间	9 ns
典型关断延迟时间	39 ns
漏源极电压Vds	4880 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	SQ Rugged
宽度	6.22mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
高度	2.38mm
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.38mm
汽车标准	AEC-Q101
每片芯片元件数目	1 Ohms