参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQ1912AEEH-T1_GE3
说明	功率MOSFET   2.1mm SOT-363 20V
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6252 [库存更新时间：2025-04-18]
通道数量	2Channel
配置	Dual
高度	1mm
长度	2.1mm
系列	SQ
FET类型	2N-Channel
宽度	1.25mm
连续漏极电流Id	800mA
Qg-栅极电荷	1.25nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	200mΩ
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	450mV
上升时间	108ns
下降时间	390ns
典型关闭延迟时间	715ns
典型接通延迟时间	66ns
正向跨导 - 最小值	2.6S
工作温度	-55°C~175°C
封装/外壳	SOT-363
Pd-功率耗散(Max)	1.5W
电压	20V