参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHF9540STRL-GE3
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.67mm 10.67x9.65x4.83mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	10
最小包	10
现货	183 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	13 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	200 m0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	150W
宽度	9.65mm
典型接通延迟时间	16 ns
典型关断延迟时间	34 ns
漏源极电压Vds	1400 pF @ -25 V
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+175 °C
长度	10.67mm
高度	4.83mm
封装/外壳	10.67 x 9.65 x 4.83mm
最低工作温度	-55 °C