参数	值
产品	未分类
型号编码	SI5903DC-T1-GE3
说明	未分类   8-SMD,扁平引线 1206-8ChipFET™
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6162 [库存更新时间：2025-04-18]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.1A
Rds On(Max)@Id,Vgs	155 毫欧 @ 2.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	600mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6nC @ 4.5V
功率	1.1W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SMD,扁平引线
封装/外壳	1206-8 ChipFET™