参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4920DY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 533 [库存更新时间:2025-04-14] |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 25 mOhms @ 6.9A,10V |
Vgs(th) | 1V @ 250uA(最小) |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 30V |
参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4920DY-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 533 [库存更新时间:2025-04-14] |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 25 mOhms @ 6.9A,10V |
Vgs(th) | 1V @ 250uA(最小) |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 30V |