参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4904DY-T1-E3n |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 397 [库存更新时间:2025-04-21] |
连续漏极电流Id | 8A |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16 mOhms @ 5A,10V |
Vgs(th) | 2V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 3.25W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 40V |
参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4904DY-T1-E3n |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 397 [库存更新时间:2025-04-21] |
连续漏极电流Id | 8A |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16 mOhms @ 5A,10V |
Vgs(th) | 2V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 3.25W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 40V |