| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI4776DY-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 396 [库存更新时间：2025-04-17] |
| 连续漏极电流Id | 11.9A(Tc) |
| FET类型 | N-Channel |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16 mOhms @ 10A,10V |
| Vgs(th) | 2.3V @ 1mA |
| Pd-功率耗散(Max) | 4.1W(Tc) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 30V |
IC普拉斯 元器件现货