参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4451DY-T1-E3
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2000
现货	10701 [库存更新时间：2024-06-08]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	10A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	800mV @ 850µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	1.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.25m Ohms@14A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	10A