参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4447DY-T1-E3
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5802 [库存更新时间：2025-04-15]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	3.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	15V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	805pF @ 20V
栅极电压Vgs	±16V
Pd-功率耗散(Max)	1.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	72m Ohms@4.5A,15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	3.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	54mΩ