参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4423DY-T1-E3n |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 396 [库存更新时间:2025-04-19] |
连续漏极电流Id | 10A(Ta) |
FET类型 | P-Channel |
Vgs(最大值) | ±8V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5 mOhms @ 14A,4.5V |
Vgs(th) | 900mV @ 600uA |
Pd-功率耗散(Max) | 1.5W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 20V |