参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SCT50N120 |
说明 | 通用MOSFET TO-247-3 HIP-247 |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 30 |
最小包 | 30 |
现货 | 657 [库存更新时间:2025-04-02] |
连续漏极电流Id | 65A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 20V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 122nC @ 20V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1900pF @ 400V |
栅极电压Vgs | +25V,-10V |
Pd-功率耗散(Max) | 318W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 69m Ohms@40A,20V |
工作温度 | -55°C~200°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/外壳 | HIP-247 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 1200V |
连续漏极电流Id | 65A |