参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ3G100GNTB
说明	功率MOSFET   HSMT
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	357 [库存更新时间：2024-05-23]
系列	RQ
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	615pF @ 20V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	HSMT
连续漏极电流Id	10A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	8.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	11mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	1.2V
上升时间	4.2ns
下降时间	3.2ns
典型关闭延迟时间	23.1ns
典型接通延迟时间	8ns
通道数量	1Channel
配置	Single