| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | PSMN1R2-25YLC,115 |
| 说明 | 未分类 |
| 品牌 | NXP Semiconductors(恩智浦) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1500 |
| 现货 | 2676 [库存更新时间：2025-04-17] |
| 179 W | Pd - 功率消耗 |
| 66 nC | Qg - 闸极充电 |
| FET类型 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 标准包装数量 | 1500 |
| 连续漏极电流Id | 100 A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.3 m0hms |
| 漏源极电压Vds | 25 V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 栅极电压Vgs | 1.45 V |
IC普拉斯 元器件现货
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