参数	值
产品	未分类
型号编码	PMN35EN,115
说明	未分类   TSOP 3.1mm 3.1x1.7x1mm
品牌	Nexperia(安世)
起订量	0
最小包	0
现货	492 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.1 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	31 m0hms
栅极电压Vgs	2.5V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TSOP
晶体管配置	单
引脚数目	6
FET类型	增强
功率	4.17 W
漏源极电压Vds	334 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	53 ns
典型接通延迟时间	4 ns
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	1.7mm
最高工作温度	+150 °C
长度	3.1mm
高度	1mm
封装/外壳	3.1 x 1.7 x 1mm