IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 复用器 | TC7MPB9307FK(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:20-VSSOP 供电电压源:双电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 5V,2.3V ~ 5.5V 电路:8 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | TC7QPB9306FT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:14-TSSOP 供电电压源:双电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 5V,2.3V ~ 5.5V 电路:4 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | TC7SBL66CFU,LF(CT | 产品状态:在售 封装/外壳:5-SSOP 导通电阻(最大值):18 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 开关时间(Ton,Toff)(最大值):6ns,6ns 开关电路:SPST - 常闭 沟道电容(CS(off),CD(off)):3.5pF 电压-电源,单(V+):1.65V ~ 3.6V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):1uA 电路数:1 | |
| 复用器 | TC7SBL384CFU,LF(CT | 产品状态:在售 封装/外壳:5-SSOP 导通电阻(最大值):18 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 开关时间(Ton,Toff)(最大值):6ns,6ns 开关电路:SPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):3.5pF 电压-电源,单(V+):1.65V ~ 3.6V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):1uA 电路数:1 | |
| 复用器 | 74CB3Q3253BQX | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:0.2ns 导通电阻:4.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:84,51.4747820386758 电源电压:2.3 - 3.6 通道数:2 逻辑切换水平:CMOS / LVTTL | |
| 复用器 | 74CB3Q3253PWJ | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:-MHz 传播延迟时间:0.2ns 导通电阻:4.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:44.2947604790419,116 电源电压:2.3 - 3.6 通道数:2 逻辑切换水平:CMOS / LVTTL | |
| 复用器 | CBT3253APW,118 | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:53.3,124 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | CBT3253ADS,112 | 封装/外壳:SOT519 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | TC7MBL3126CFT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:14-TSSOP 供电电压源:单电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 3.6V 电路:4 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | CBT3257ABQ,115 | 封装/外壳:SOT763 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:94,64 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | CBT3257AD,118 | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:115 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | CBT3257APW,118 | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:56.1,126 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | TC7MBL3257CFT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:16-TSSOP 供电电压源:单电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 3.6V 电路:4 x 2:1 类型:多路复用器/多路分解器 | |
| 复用器 | TC7MPB9307FT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:20-TSSOP 供电电压源:双电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 5V,2.3V ~ 5.5V 电路:8 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | TC7MBL3125CFT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:14-TSSOP 供电电压源:单电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 3.6V 电路:4 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | TC7MBL3245CFT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:20-TSSOP 供电电压源:单电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 3.6V 电路:8 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | TC7MBL3253CFT(EL) | 产品状态:在售 封装/外壳:16-TSSOP 供电电压源:单电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 3.6V 电路:2 x 4:1 类型:多路复用器/多路分解器 | |
| 复用器 | CCB3T1G125QDCKRQ1 | 封装/外壳:SC70-5 | |
| 复用器 | SN74CB3Q3245PWR | 封装/外壳:TSSOP-20 | |
| 复用器 | 74HCT253D-Q100,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:36,78 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | TC4S66F,LF | -3db带宽:30MHz 产品状态:在售 封装/外壳:SMV 导通电阻(最大值):160 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 开关电路:SPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):0.5pF,5pF 电压-电源,单(V+):3V ~ 18V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):100nA 电路数:1 | |
| 复用器 | CBT3253DB,118 | 封装/外壳:SOT338 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL | |
| 复用器 | 74HC4067DB,118 | 系列:74HC 多路复用器/解复用器电路:16:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:120 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:6 欧姆 电压- 电源，单（V+）:2 V ~ 10 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:45ns,45ns -3db带宽:100MHz 沟道电容（CS(off），CD（off））:3.5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 逻辑系列:74HC 逻辑功能:多路分解器、多路复用器 多路分解能力:16 线解复 每片芯片元件数目:5 每个元件输入使能数目:1 Ohms 输出类型:单端 极性:反相 引脚数目:24 高度:1.8mm 长度:8.4mm 最大工作电源电压:10 V 宽度:5.4mm 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 最小工作电源电压:2 V 封装/外壳:24-SSOP | |
| 复用器 | TC7SPB9306TU,LF | 产品状态:在售 封装/外壳:UF6 供电电压源:双电源 工作温度:-40°C ~ 85°C 独立电路:1 电压-供电:1.65V ~ 5V,2.3V ~ 5.5V 电路:1 x 1:1 类型:总线开关 | |
| 复用器 | 74HCT157D-Q100,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,51 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74AHCT157D-Q100J | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HC151D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC151D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT153PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:120,49 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC2G53GN,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1116 -3db带宽:300MHz 串扰:-dB 导通电阻:1.5Ohms,15Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:238,148 电源电压:1.65 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74HC151D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT157PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,53.6 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT251PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:22ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:114,41.9 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT153D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:87,45 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | CBT3253APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:53.3,124 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74AHC157D,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AUP1G157GN,132 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1115 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:275,171 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AUP2G157GS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1203 传播延迟时间:3.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:276,146 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AUP2G157DC,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:203,113 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC153D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45,87 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC257D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,52 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC251D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,38 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74LVC257APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:125,54.6 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74HC251PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:41.9,114 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC251DB,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC257D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,52 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC257D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,52 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT151D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT157D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,92 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC157ABQ-Q100X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:2.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:94,64 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LV4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:116,44.4 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LV4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:116,44.4 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC257AD,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.5,92 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC257APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:125,54.6 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | CBT3251D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:90,49.5 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HC151PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.9 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC253D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,36 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC253D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,36 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT153D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:87,45 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT151D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT251D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:22ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,38 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT257D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52,92 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC157AD,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:2.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:53.3,93 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC1G157GF,132 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT891 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:155,307 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:+/- 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC1G157GM,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT886 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:307,155 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC2G53GF,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1089 -3db带宽:300MHz 导通电阻:1.5Ohms,15Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:263,129 电源电压:1.65 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC2G53GT,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT833 -3db带宽:300MHz 串扰:-dB 导通电阻:1.5Ohms,15Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:157,327 电源电压:1.65 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74AHC157D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:50,91 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AHC157BQ-Q100X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:60,91 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AUP1G157GS,132 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1202 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:177,272 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74AUP1G157GW,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:153,264 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT257D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,52 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74HCT253D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:36,78 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LV4051BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:84,52 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC1G157GM,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT886 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:307,155 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC1G157GN,132 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1115 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:322,199 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | CBT3253AD,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:91,50.4 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | CBT3257AD,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:115 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | CBT3257AD,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:115 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74AHCT157BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74AUP1G157GM,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT886 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:290,145 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9 / -1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC153D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45,87 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC251D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:38,80 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT153PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:120,49 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LV4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:116,44.4 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC1G157GF,132 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT891 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:155,307 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:+/- 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74AHCT157BQ-Q100X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:60,91 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74AUP2G157GF,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1089 传播延迟时间:3.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,254 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9/-1.9mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC151D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC157D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,92 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC151D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HC151D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 复用器 | 74HCT157D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:13ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,92 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LV4051BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:84,52 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LV4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:200MHz 串扰:-60dB 导通电阻:35Ohms,135Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:116,44.4 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | 74LVC257APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:125,54.6 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | 74LVC257ADB,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:+/- 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 复用器 | CBT3251PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:126,56.1 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | CBT3253AD,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:91,50.4 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:2 逻辑切换水平:TTL |
| 复用器 | CBT3257ABQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 -3db带宽:300MHz 传播延迟时间:0.25ns 导通电阻:7.0Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:94,64 电源电压:4.5 - 5.5 通道数:4 逻辑切换水平:TTL |