参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	NVMFS5113PLT1G
说明	通用MOSFET   8-PowerTDFN SO-FL
起订量	1
最小包	1
现货	478 [库存更新时间：2024-04-08]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	10A(Ta),64A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	83nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4400pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3.8W(Ta),150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	14m Ohms@17A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/外壳	SO-FL
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	10A