参数	值
产品	未分类
型号编码	NTR4170NT1G
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6105 [库存更新时间：2025-04-15]
FET类型	N-Channel
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.76nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	432pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
功率	480mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	55 毫欧 @ 3.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2.4A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	432pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	55 毫欧 @ 3.2A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA