参数	值
产品	未分类
型号编码	NTMS10P02R2G
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5651 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	8.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	70nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3640pF @ 16V
栅极电压Vgs	±12V
功率	1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	14 毫欧 @ 10A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	10A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	70nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3640pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs	14 毫欧 @ 10A,4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	8.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA