参数	值
产品	未分类
型号编码	NTD18N06LT4G
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 DPAK
品牌	ON(安森美)
起订量	1
最小包	2500
现货	2728 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	675pF @ 25V
栅极电压Vgs	±15V
功率	2.1W(Ta),55W(Tj)
Rds On(Max)@Id,Vgs	65 毫欧 @ 9A,5V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	18A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	675pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	65 毫欧 @ 9A,5V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	18A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA